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對于混凝土基面，要求混凝土表面應光滑、無開裂、塌陷、破碎等現象。打磨去掉毛刺，期初松動層和雜質。接角、接邊位置的菱角進行打磨平滑過渡。清潔檢查，使用吸塵器清理現場，達到表面潔凈無灰塵。檢查混凝土表面干燥程度，保持混凝土干燥無水。對設備和噴涂現場進行掩護，避免噴涂污染。若有蜂窩、麻面、酥松、起皮應預先修不好，對于>1mm以上的干縮縫，也應預先處理平整。使用配套混凝土修補膩子修補，填充混凝土缺陷。涂刷指定的配套混凝土底漆，封閉混凝土。
對于鋼底材表面，應去除鋼制底材表面存在的油污，增強聚脲涂層的附著力。使用噴砂、拋丸或者手動工具除銹達到Sa2.5。鋼底材表面應無可見的油脂和污垢、氧化皮、鐵銹及涂層等附著物，任何殘留的痕跡僅是點狀或條紋狀的輕微色斑。然后清潔除塵，使用清潔空氣或者抹布結清底材，避免灰塵存在影響附著力，噴涂聚脲嵌涂刷金屬底漆。

3、聚脲地坪施工噴涂SPUA
應根據實際現場的情況設計的施工工藝和方案進行噴涂施工。施工前，底材上渣子和雜物要盡量清理干凈，可使用吸塵器進行清理。對于異形結構和薄弱位置應預先進行加強噴涂。噴涂的整體施工應盡量在3h內完成，如超過3h,應在不同噴涂時間的塔接部位刷涂或噴涂一道層間搭接劑，干燥后再噴涂聚脲涂層。如果飲用戶外場合，還需要在芳香族聚脲涂層涂刷或噴涂有彈性的脂肪族面漆。
對施工區域內不施工部位及現場周圍所涉及的非噴涂區域要進行防護處理，用遮擋防護不進行遮擋。對工作區域所預留的埋件進行封套處理，對處于下風口部位，遮擋高度應不低于1,8m,防止施工時物料飛濺，污染墻面或其他成品。

（1）施工時間設備基本參數的設定
1）壓力：200~2500psi（1psi=6894.76Pa）。
2）主加熱器和管道加熱器溫度：65~70℃。
3）將R組分使用攪拌器攪拌半小時以上在進行噴涂施工。
（2）設備的調試與檢查
1）主機及其附屬設備接電進行調試，調節完還應進行檢查。
2）空壓機和干燥器是否正常工作。
3）噴涂機的加熱系統是否運轉正常，噴涂前先將管道加熱器打開，待管道加熱器溫度達到所設定的溫度后，進行其他主機參數的設定，然后進行噴涂施工。
4）噴涂時注意將空壓機的水分放出，以免噴涂時水分混在聚脲填料中噴涂到低材料上，造成漆膜氣泡而影響施工質量。
（3）技術要求 施工前基層要清理干凈,噴涂施工應預先劃分好區域，逐區域完成，1.2~1.5mm厚的聚脲噴涂層一般3~4便完成。聚脲地坪涂料施工時，噴距80~100cm，走槍以后一槍覆蓋前一槍的50%~60%為準，縱向噴涂完1遍后檢查涂膜，對大氣孔和凹陷處用修補料進行找平，修補料干燥4h后，橫向用同樣的噴涂方法噴涂到設計厚度。聚脲地坪涂料整體施工完畢后可采用特殊手法對聚脲表面極性造粒防滑處理。施工完畢24h內,應避免重物一、碾壓。施工中嚴禁將水分、油污等雜質帶入施工工作面,聚脲施工應當避開大霧、雨雪、高溫等惡劣天氣。施工現場杜絕火源，防爆、通風良好，工作人員應做好個體防護。靜電對集成電路的危害
1、造成短路：靜電產生時，會造成放電，產生的點擊會擊穿氧化層，造成集成電路短路。
2、造成回路：靜電產生的放電電流會把金屬層的線路熔化，造成開路。
3、高溫改變屬性：靜電產生時會產生一種高溫，半導體在高溫下屬性會被改變，會造成半導體運作不正常。
4、放電造成微損：靜電的電擊會對集成電路造成微損害，出廠時檢測正常，但在成品正常工作時，會造成最終產品的故障。
二、靜電對晶片制作的危害
1、吸附微塵：在晶片制作時，最重要的是無塵，因為一點細微的灰塵都會影響晶片的回路，嚴重影響性能，而靜電具有依附微塵粒子的特性，很容易導致微塵污染晶片。
2、射頻干擾：靜電在放電時會產生射頻，這種射頻可能會令機件無故停頓，嚴重干擾生產。
三、集成電路在電路板上的裝配
在插件時、焊接后、或維修時，都可能產生靜電放電效應，破壞板上元件。
四、靜電對液晶片制作的危害
1、吸附微塵：靜電會吸附微塵，可能會將微塵待到玻璃上，造成污染。
2、靜電殘留：靜電如果殘留在兩片玻璃之間，一放電，會影響液晶片的現實
1）噴涂時，操作人員應左右移動噴槍，邊操作邊后退，每一遍涂覆寬應覆蓋上一噴涂幅寬的50%~60%，俗稱“壓槍”。除注意沒幅寬、塔接寬度和噴涂方向外，還應注意操作人員的移動速率、噴槍與基層的距離，這些都關系到噴涂后的厚薄是否均勻。
2）下一遍噴涂方向應與上一遍噴涂方向成垂直角度，達到噴涂后涂層薄厚均勻一致，平整美觀。
垂直面施工時還要注意每遍噴涂不能太厚，以防止因材料不均產生“流掛”。

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