無(wú)線充電線圈性能參數(shù)為什么那么好？掌握方法很重要！
岑科電感工程師們?yōu)榇蠹抑鹨恢v解介紹！
　　對(duì)于固定的工作頻率來(lái)說(shuō)，品質(zhì)因數(shù)Q主要取決于線圈的形狀和尺寸以及所用的材料。標(biāo)準(zhǔn)線圈技術(shù)（比如線繞線圈、PCB線圈）一般都規(guī)定有品質(zhì)因數(shù)值。對(duì)于相同體積和形狀但繞組安排不同的線圈來(lái)說(shuō)，其電感L和電阻R的比值保持不變。為了區(qū)別不同的線圈結(jié)構(gòu)，將這個(gè)比值定義為品質(zhì)因數(shù)Q是有意義的。

　　電感中同一電流感應(yīng)的電壓隨頻率f以及器件中的視在功率變化而變化。品質(zhì)因數(shù)的一般定義基于的是視在功率與器件中功率損失之比。根據(jù)這個(gè)定義，可以推導(dǎo)出一個(gè)線圈的品質(zhì)因數(shù)：

　　Q=ωL/R

　　其中ω=2πf：

　　品質(zhì)因數(shù)Q的取值范圍是0到無(wú)窮大，雖然對(duì)線圈來(lái)說(shuō)很難獲得遠(yuǎn)大于1000的值。對(duì)于批量產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可以期待的品質(zhì)因數(shù)大約是100左右。低于10的品質(zhì)因數(shù)就不是很有用了。這些值必須按典型的數(shù)量級(jí)加以考慮。

　　首先介紹了MCR-WPT技術(shù)的工作原理，用等效電路理論對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行建模分析。其次介紹了基于MCR-WPT技術(shù)的EV無(wú)線充電裝置，并仿真分析了線圈參數(shù)對(duì)系統(tǒng)傳輸性能的影響規(guī)律，在此基礎(chǔ)上
　　描述了無(wú)線線圈參數(shù)的設(shè)計(jì)過(guò)程。為EV無(wú)線充電系統(tǒng)線圈參數(shù)的設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。

　　1 MCR-WPT技術(shù)原理與基本理論

　　1.1 MCR-WPT技術(shù)原理

　　MCR-WPT系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)。磁耦合諧振式WPT系統(tǒng)主要由高頻電源、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)、發(fā)射線圈、接收線圈和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路等組成。該技術(shù)主要是利用近場(chǎng)區(qū)的非輻射理論，使能量在具有相
　　同諧振頻率的物體之間周期性地來(lái)回傳遞，而不同共振頻率的物體基本不受影響，因此可實(shí)現(xiàn)**的能量傳輸。磁耦合諧振式WPT的具體工作原理是：高頻電源向發(fā)射天線輸出高頻交變電流，
　　經(jīng)過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)將能量傳遞給發(fā)射線圈。發(fā)射線圈在高頻交變電流的作用下發(fā)生諧振，產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)。當(dāng)合理設(shè)置收發(fā)線圈的參數(shù)時(shí)，接收線圈也發(fā)生共振，產(chǎn)生同頻共振的電磁場(chǎng)，形
　　成能量接收通道，繼而接收能量，接收到的電能經(jīng)過(guò)負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路處理后便可以給負(fù)載供電，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)線輸電[5]。
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