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一、試驗樣品Intel公司組織的試驗中使用了以下兩個高密度組裝測試板。（1）VFBGA封裝。VFBGA封裝如圖1所示。硅芯片通過綁定連接到極薄的基板上。試驗所用的VFBGA，總封裝高度是1.0mm，間距0.5mm，植球之前量得的錫球直徑是0.3mm。

圖1 0.5mm間距的VFBGA封裝圖示（2）SCSP封裝。SCSP封裝如圖2所示，是一個塑模BGA封裝，可以裝入兩個或更多的CSP芯片。這種堆疊式封裝的總封裝高度是1.4mm，間距0.8mm，植球之前量得的錫球直徑為0.4mm。

圖20.8mm間距的SCSP這項評估使用的PCB板材是6層（1+4+1，中間4層，表面2層）FR4，在樹脂覆銅表面制作微孔。PCB總厚度為0.8～1.0mm。在這項研究中，使用了兩種表面涂層，即ENIG Ni/Au和Entec?Plus OSP。每塊板上有10個元件單元。1～5單元的印制板表面安裝焊盤**的都帶過孔，6～10單元是無過孔表面安裝焊盤。封裝側的焊盤覆有電解鎳和沉金，焊盤之間用阻焊膜圖形隔開。

二、組裝工藝和實驗設計（DOE）實驗板通過表面安裝技術將封裝連接在基板上。所有組裝好的板子都在X-射線檢測設備上進行開路和短路測試。在板子發回Intel之前，對每個元件進行了電氣連通測試，對失效元件作了記號。表1所示是為VFBGA和SCSP元件建立的實驗設計矩陣（僅列出向后兼容類型）。

表1 實驗DOE注：BWC表示逆向兼容性（釬料球為SAC的BGA，用SnPb焊膏連接的封裝）；FWC表示正向兼容性（釬料球為SnPb的BGA，用SAC焊膏連接的封裝）；鉛對照表示封裝是SnPb釬料球的BGA，用SnPb焊膏連接。在這個實驗設計矩陣中，之所以選擇如表所列的測試基準，其原因敘述如下。

（1）板面處理：研究中考察了兩種表面處理：●ENIG Ni/Au；●Entec?Plus OSP。（2）焊點合金組分：●BGA釬料球是無鉛釬料（SAC405），焊膏中合金成分為SnPb；●對照組采用OSP芯片封裝側的焊盤合金是電解鍍鎳和閃金。

資訊來源：汕頭羅克自動化